查阅相关书籍,是这般解释的:***********************************************************"在分析通道的较低区域(即感应圈上方10mm以下处)中,基体元素对原子线和离子线均增强,这个效应可认为是由于高能电子的数量增大从而导致碰撞激发增加所引起,在轴向通道的较高区域中,干扰物的存在对原子线和离子线的强度均产生抑制作用,这可以认为是双极扩散,亦即电子从中心通道径向地向外扩散造成的,向外扩散的电子势必把通道中心的正离子向外拉,从而使其数目减少,相应地该区域中的等测元素的发射强度便下降,对许多--但不是所有的--分析线的研究表明,这种从增强向抑制转变的临界点均出现于常规分析常用的观察高度."************************************************************我想,若这个理由成立的话,那么,电离抑制的解释将意味着被否定,但电离抑制这种解释已广为ICP-AES分析工作者所接受,到底我们应该接受哪一种见解,还是两种见解都持否定态度呢?