多测量求平均值，目的只有一个，就是得到一个可靠的内标因子！

至于怎么做，我个人认为那可是一个统计学的任务了。有规定：“检出限以浓度（或质量）表示，是指由特定的分析步骤能够合理地检测出的最小分析信号xL求得的最低浓度cL（或质量qL）”。要做空白平均值、空白标准偏差(应通过实验以足够多的测定次数求出)，另外还与仪器灵敏度、选定置信度等有关，再通过公式计算出来。

工作站用的是什么？

我们曾经内标法做过 填充柱 FID 检测器

没有直接关系的。

有没有说信背比多少最佳

极有可能是漏气

目前较成熟的主要是电荷注入器件Charge-Injection Detector（CID）、电荷耦合器件Charge-Coupled Detector （CCD）。　　在这两种装置中，由光子产生的电荷被收集并储存在金属-氧化物-半导体（MOS）电容器中，从而可以准确地进行象素寻址而滞后极微。这两种装置具有随机或准随机象素寻址功能的二维检测器。可以将一个CCD看作是许多个光电检测模拟移位寄存器。在光子产生的电荷被贮存起来之后，它们近水平方向被一行一行地通过一个高速移位寄存器记录到一个前置放大器上。最后得到的信号被贮存在计算机里。　　CCD器件的整个工作过程是一种电荷耦合过程，因此这类器件叫电荷耦合器件。对于CCD器件，当一个或多个检测器的象素被某一强光谱线饱和时，便会产生溢流现象。即光子引发的电荷充满该象素，并流入相邻的象素，损坏该过饱和象素及其相邻象素的分析正确性，并且需要较长时间才能便溢流的电荷消失。为了解决溢流问题，应用于原子光谱分析的CCD器件，在设计过程中必须进行改进，例如：进行分段构成分段式电荷耦合器件（SCD），或在象表上加装溢流门，并结合自动积分技术等。　　CID是一种电荷注入器件（Charge-Injected Device），其基本结构与CCD相似，也是一种MOS结构，当栅极上加上电压时，表面形成少数载流子（电子）的势阱，入射光子在势阱邻近被吸收时，产生的电子被收集在势阱里，其积分过程与CCD一样。　　CID与CCD的主要区别在于读出过程，在CCD中，信号电荷必须经过转移，才能读出，信号一经读取即刻消失。而在CID中，信号电荷不用转移，是直接注入体内形成电流来读出的。即每当积分结束时，去掉栅极上的电压，存贮在势阱中的电荷少数载流子（电子）被注入到体内，从而在外电路中引起信号电流，这种读出方式称为非破坏性读取（Non-Destructive Read Out）,简称：NDRO．CID的NDRO特性使它具有优化指定波长处的信噪比（S/N）的功能。同时CID可寻址到任意一个或一组象素，因此可获得如“相板”一样的所有元素谱线信息。

应该可以更换，只要都是毛细住或者都是填充柱

不好洗的可以用个大烧杯啥的，放有机溶剂或者去离子水超声几分钟。

什么条件都没有，不能盘顿出峰顺序的！

是不是放气阀没有拧紧啊，看一下是否应加水了

把硬盘的数据线重新拨插一下，可能是接触不良。

贝塔射线才对吧。

你按照下面链接的地址问问看看www.sh-weiliang.com/

安捷伦FID，氢空为1：3左右

用过Wax毛细管柱，分离无问题。乙醇和乙醚（先出峰）离得较远。

我们标液也是稀硝酸或者0.07mol/L的稀盐酸稀释的

供气、辅助气是否足够？雾化器喷雾效果如何？

初始化失败？是PE的仪器么？你熄火后，把炬管重新安装一下，再试试。